{"id":1408,"date":"2018-10-02T12:18:00","date_gmt":"2018-10-02T10:18:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.institut-foton.eu\/?p=1408"},"modified":"2025-04-22T12:31:24","modified_gmt":"2025-04-22T10:31:24","slug":"orpheus-second-order-optical-phenomena-in-gallium-phopshide-microdisks-on-silicon","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.institut-foton.eu\/en\/orpheus-second-order-optical-phenomena-in-gallium-phopshide-microdisks-on-silicon\/","title":{"rendered":"ORPHEUS : secOnd oRder oPtical pHenomEna in gallium phopshide microdisks on Silicon"},"content":{"rendered":"\n
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octobre 2018 \u2013 d\u00e9cembre 2021<\/p>\n\n\n\n

Projet ANR17-CE24-0019 (ANR)<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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Les ph\u00e9nom\u00e8nes d\u2019optique non-lin\u00e9aire au 2nd<\/sup> ordre dans les micror\u00e9sonateurs int\u00e9gr\u00e9s sont fortement contraints par la double conservation de l\u2019\u00e9nergie et de l\u2019impulsion. Introduire un caract\u00e8re al\u00e9atoire dans l\u2019orientation cristalline du mat\u00e9riau non-lin\u00e9aire permet de rel\u00e2cher cette contrainte et multiplie les possibilit\u00e9s de conversion de fr\u00e9quence de ces dispositifs. Le projet ORPHEUS explore ainsi ces ph\u00e9nom\u00e8nes non-lin\u00e9aires dans des microdisques de GaP sur silicium.<\/strong><\/p>\n\n\n\n

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Contexte<\/h2>\n\n\n\n

La croissance des flux de donn\u00e9es et la sobri\u00e9t\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique repoussent les technologies de l\u2019information dans leurs retranchements. L\u2019int\u00e9gration de circuits photoniques (PICs) au sein des microprocesseurs repr\u00e9sente une option int\u00e9ressante face \u00e0 ces \u00e9volutions, du fait de leur grande bande passante et de leur co\u00fbt \u00e9nerg\u00e9tique faible, mais aussi parce que la lumi\u00e8re constitue un medium int\u00e9ressant pour le d\u00e9veloppement de paradigmes de calcul alternatifs comme le calcul quantique. La d\u00e9monstration de briques photoniques \u00e9l\u00e9mentaires de ces PICs est, de fait, essentielle \u00e0 l\u2019essor de cette nouvelle technologie. Parmi ces composants de base, les oscillateurs param\u00e9triques optiques (OPO) ont depuis longtemps d\u00e9montr\u00e9 leur int\u00e9r\u00eat comme convertisseur de longueur d\u2019onde, amplificateurs ou sources de photons intriqu\u00e9s. La miniaturisation de ces dispositifs est aujourd\u2019hui une th\u00e9matique de recherche particuli\u00e8rement vivante.<\/p>\n\n\n\n

Objectifs<\/h2>\n\n\n\n

La plateforme GaP\/Si pr\u00e9sente de nombreux avantages dans ce domaine : le GaP pr\u00e9sente une plus grande susceptibilit\u00e9 du 2nd<\/sup> ordre que le LiNbO3<\/sub> et ses propri\u00e9t\u00e9s optiques autorisent une plus grande compacit\u00e9 des dispositifs et une gamme spectrale \u00e9tendue. Le GaP peut \u00eatre int\u00e9gr\u00e9 sur Si de mani\u00e8re monolithique et b\u00e9n\u00e9ficie de la maturit\u00e9 des proc\u00e9d\u00e9s technologiques III-V. Mais au-del\u00e0, le caract\u00e8re al\u00e9atoire de l\u2019orientation cristalline des dispositifs photoniques GaP\/Si pourrait \u00eatre utilis\u00e9 pour r\u00e9aliser une conversion de fr\u00e9quence plus accessible et \u00e0 large bande. Ceci r\u00e9side dans l\u2019apparition de d\u00e9fauts structuraux appel\u00e9s domaines d\u2019antiphase (APDs) lors de la croissance de GaP sur Si. L\u2019objectif du projet ORPHEUS est donc la d\u00e9monstration d\u2019un OPO large bande bas\u00e9 sur nos microdisques \u00e0 base de GaP\/Si. Diff\u00e9rents r\u00e9gimes de fonctionnement de l\u2019OPO seront test\u00e9s depuis la conversion au sein de la bande t\u00e9l\u00e9com jusqu\u2019\u00e0 la conversion entre la bande datacom (850nm) et la bande t\u00e9l\u00e9com.<\/p>\n\n\n\n

Production scientifique<\/h2>\n\n\n
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Contact<\/h3>\n\n