{"id":2223,"date":"2015-01-11T15:45:00","date_gmt":"2015-01-11T14:45:00","guid":{"rendered":"https:\/\/www.institut-foton.eu\/?p=2223"},"modified":"2025-04-22T12:31:57","modified_gmt":"2025-04-22T10:31:57","slug":"antipode-advanced-analysis-of-iii-v-si-nucleation-for-highly-integrated-photonic-devices","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.institut-foton.eu\/en\/antipode-advanced-analysis-of-iii-v-si-nucleation-for-highly-integrated-photonic-devices\/","title":{"rendered":"ANTIPODE : Advanced aNalysis of III-V\/Si nucleaTIon for highly integrated PhOtonic Devices"},"content":{"rendered":"\n
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janvier 2015 \u2013 septembre 2018<\/p>\n\n\n\n

Projet ANR-14-CE26-0014 (ANR)<\/p>\n<\/div>\n\n\n\n

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\"\"<\/figure>\n<\/div>\n\n\n\n

ANTIPODE est un projet de recherche fondamentale qui vise \u00e0 comprendre en profondeur la formation des interfaces entre les semi-conducteurs (SC) III-V et le Si afin de contr\u00f4ler la g\u00e9n\u00e9ration des d\u00e9fauts lors de la croissance \u00e9pitaxiale. Le projet propose d’\u00e9tudier trois mat\u00e9riaux SC III-V, non seulement parce qu’ils sont tous pertinents pour les applications photoniques (de l’UV \u00e0 IR), mais aussi car ils permettent d\u2019explorer des couches en compression, en tension et en quasi-accord de maille.<\/strong><\/p>\n\n\n\n\n\n\n\n

Contexte<\/h2>\n\n\n\n

Le 10 D\u00e9cembre 2012, IBM a annonc\u00e9 une v\u00e9ritable rupture technologique : l’int\u00e9gration de diff\u00e9rents composants optiques c\u00f4te-\u00e0-c\u00f4te avec des circuits \u00e9lectriques sur une seule puce de silicium et avec une technologie 90 nm. Toutefois, le d\u00e9veloppement de sources laser sur puce est toujours une partie limitante dans ce sch\u00e9ma d’int\u00e9gration. Pour augmenter le niveau d’int\u00e9gration de la photonique \u00e0 moyen terme, l’une des voies les plus prometteuses en terme de performances et de rentabilit\u00e9 est de r\u00e9aliser l’\u00e9pitaxie directe de semi-conducteurs III-V sur la puce de silicium. Cette id\u00e9e a \u00e9t\u00e9 largement \u00e9tudi\u00e9e dans le d\u00e9but des ann\u00e9es 80, et a \u00e9t\u00e9 revisit\u00e9e r\u00e9cemment par trois laboratoires fran\u00e7ais qui ont d\u00e9montr\u00e9 des fonctionnalit\u00e9s optiques avanc\u00e9es ou des \u00e9metteurs sur silicium \u00e0 base de GaSb\/AlSb (IES Montpellier), GaP\/AlP (FOTON Rennes) ou GaN\/AIN (au CRHEA Valbonne) sur silicium. A partir de leurs pr\u00e9c\u00e9dentes exp\u00e9riences, IES, FOTON et CRHEA font le m\u00eame constat: la qualit\u00e9 g\u00e9n\u00e9rale des mat\u00e9riaux III-V\/Si est enti\u00e8rement d\u00e9termin\u00e9e par la qualit\u00e9 de l’interface, c’est \u00e0 dire par la surface initiale de Si, et les premi\u00e8res monocouches III-V.<\/p>\n\n\n\n

Objectifs<\/h2>\n\n\n\n

Le projet ANTIPODE a les trois objectifs suivants:<\/p>\n\n\n\n